随着新能源产业蓬勃发展，第三代半导体因其高功率材料特性获得业界青睐。作为新能源汽车、新能源发电等电力电子系统中的核心部件，SiC MOSFET的应用领域日益广泛；以碳化硅为核心的800V强电系统将在主驱逆变器、电机驱动系统、DC-DC到OBC及充电桩等领域迎来规模化发展。

如何对这些核心功率模块进行精准、可靠的测试和筛选变得至为关键。

8月29-31日，功率半导体测试创新领导者——忱芯科技携全套测试解决方案参展PCIM Asia。展会现场展出了Edsion动态特性测试系统和动态可靠性测试系统，并进行实机DEMO测试。

PCIM Asia 展会现场

实机DEMO测试吸引访客问询

Edison & Maxwell 动静态测试系统

助力精准、可靠、高性价比测试

针对功率半导体的车规级应用，忱芯科技研发了SiC / IGBT功率半导体器件动静态测试系统，破解影响测试准确性和可靠性的技术难点，实现——

n超低回路杂感：先进叠层电容母排（小于10nH），可以进行比实际应用工况更严格的动态特性测试；

n高可靠，强保护： 经过应用验证的高速、高频、高可靠数字驱动电路（CMTI高达200V/μs）；同时配备高速固态保护开关，从响应到完全切断电流时间<2μs；

n高效率：可实现对功率模块内部所有开关器件的一键全自动化测试，无须更换测试母排和工装及驱动电路板，助力高UPH；

n高精度：静态测试系统通过理论分析与精准电磁建模最大限度地降低了测试线路寄生阻抗对静态特性参数测试的影响，实现高效自动化测试的同时，有力保证测试精度。

推出至今，忱芯科技的SiC/IGBT功率半导体器件动静态测试系统已实现稳定的量产运行，合作客户覆盖头部功率半导体企业及新能源车厂。其中，三电平动静态测试机装机量行业领先。

动态测试系统·产线版& 静态测试系统·产线版

新一代SiC MOSFET动态可靠性测试系统

让完美的高频方波电压不再只停留在教科书上

SiC MOSFET功率器件需要在高电平与低电平之间频繁切换，SiC/SiO2界面态电荷陷阱在器件开启和关断过程中俘获和释放载流子，使得SiC MOSFET阈值电压发生漂移；SiC MOSFET漏源极长期承受高频高压应力，高dv/dt下芯片快速充电导致老化失效。硅基功率半导体器件施加静态直流应力的传统可靠性测试方法已经没法满足SiC MOSFET的可靠性测试要求，模拟实际应用开关运行条件的高温动态高频交流测试才能实现对SiC MOSFET可靠性的全面测试，包括验证器件设计与工艺、老化测试，以及成品测试等。AQG324已经发布了车规级SiC MOSFET器件动态可靠性测试标准。

忱芯科技推出新一代SiC MOSFET动态可靠性测试系统，覆盖SiC MOSFET单管功率器件和功率模块的DHTGB/DHTRB/DH3TRB动态可靠性测试，已经交付多家SiC MOSFET企业使用。

宽禁带半导体器件动态可靠性测试系统

该系统支持不同封装类型的SiC MOSFET功率器件动态可靠性测试，可满足客户高精度、大容量等测试需求。设备主要亮点有：

n高dV/dt, DHTGB 栅极应力发生器dV/dt>1V/ns, DHTRB漏极应力发生器dV/dt>50V/ns

n开关频率高，单管功率器件开关频率高达500kHz, 功率模块开关频率高达100kHz

n一机多用，覆盖单管功率器件与功率模块，既能进行动态可靠性测试，又能做进行传统的静态可靠性测试

n可靠性高，高频应力发生器保护功能强，各器件测试相互独立互不干扰，任意器件出现损害不影响其他器件测试

n支持波形监测，每个试验区均预留示波器接口，可随时监控波形

返回第一电动网首页 >