7月27日，三星半导体官方发布人物访谈，三星电子晶圆代工业务技术开发负责人구자흠确认，三星计划在HBM5世代应用2nm的基础裸片。三星电子存储器业务开发副总裁황상준今年3月也曾表态。구자흠提到，HBM5的运行速率预计将较HBM4E提升50%以上，其基础裸片将支持更高密度的硅通孔(TSV)以满足行业需求。该内存堆栈选择2nm作为基础裸片工艺，旨在于性能和能效两方面实现重大改进。

三星电子的HBM4和HBM4E上均配备4nm基础裸片，但这两个版本的基础裸片有所区别。三星电子发挥了其4nm节点的灵活性优势，在HBM4E基础裸片上应用了高密度、超高性能器件，实现了14+Gbps高速运行，而金属层的更有效排列则在降低功耗的同时优化散热路径。