7月1日，AI芯片初创企业Etched宣布其推理加速器芯片已完成A0步进流片和首批机架构建。公司已获得超过10亿美元的订单和8亿美元的B轮融资，预计首批机架产品将于2026年夏天出货。Etched指出，现有AI芯片在高负载下会产生大量废热，导致实际推理吞吐量远低于理论峰值。Etched的芯片采用台积电N4P制程工艺，通过电路、封装、算法等多层次的整体优化设计，实现了超过80%的算力效率，运行1T规模的稀疏MoE模型，其数学模块电压比大多数竞品低50%以上。

Etched的芯片在缓存侧采用了片上SRAM+片外HBM的组合设计，并结合高带宽互联技术，兼顾了低延迟和大容量的优势，实现了高吞吐量和交互性。这一设计有望显著提升AI芯片的性能和效率，为AI应用带来新的突破。