4月16日，特斯拉CEO埃隆·马斯克宣布AI5芯片流片成功，并对外披露了特斯拉自研芯片的未来规划。马斯克透露，AI5芯片的算力是双芯AI4解决方案的5倍，展现了特斯拉在芯片技术上的显著进步。

在芯片发展路线图上，特斯拉计划推出AI6芯片，该芯片将由三星电子在美国得州泰勒市的晶圆厂以2nm工艺制造，并配备LPDDR6内存，预计在相同面积下实现性能翻倍。此外，AI6.5芯片将由台积电在美子公司TSMC Arizona以2nm工艺制造，旨在进一步提升性能。AI6和AI6.5芯片设计中，约一半的TRIPAI计算加速器将与SRAM紧密结合，以显著提升有效带宽。

AI5芯片的内存颗粒封装特点也引起了关注，其长宽差距明显，与GDDR系列芯片不同，很可能采用了LPDDR5X内存。AI6芯片的升级到LPDDR6内存，是技术发展的必然趋势。这些技术进步预示着特斯拉在自动驾驶和电动汽车领域的技术领先地位将进一步巩固。