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丰田bZ5电动汽车采用罗姆SiC MOSFET技术提升续航

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7月7日,日本半导体制造商罗姆(ROHM)宣布,其第四代SiC MOSFET裸芯片的功率模块已成功应用于丰田汽车公司面向中国市场的全新跨界纯电动汽车bZ5的牵引逆变器中。这一合作项目由罗姆与中方合作伙伴正海集团的合资企业上海海姆希科半导体有限公司负责量产供货,其中SiC MOSFET为核心的罗姆功率解决方案为bZ5的续航里程和性能提供了重要保障。

丰田bZ5这款SUV的低配版本续航能力可达550km,而高配版本则实现了630km的续航表现。该车型采用前驱设计,电机最大功率为200kW,目前已开始陆续交付。罗姆正在加速推进SiC功率元器件的研发进程,计划于今年完成下一代(即第五代)SiC MOSFET的生产线建设,并提前布局第六代和第七代产品的市场投放规划。

来源:一电快讯

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