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东芝推出车规级40V N沟道功率MOSFET 采用其最新U-MOS IX-H工艺

盖世汽车 刘丽婷

盖世汽车讯 据外媒报道,东芝电子欧洲分公司(Toshiba Electronics Europe)推出一对采用其最新U-MOS IX-H工艺的车规级40V N沟道功率MOSFET。新器件采用新型S-TOGLTM(Small Transistor Outline Gull-wing Leads,小型晶体管鸥翼引线)封装,可在汽车应用中提供多种优势。

东芝推出车规级40V N沟道功率MOSFET 采用其最新U-MOS IX-H工艺

图片来源:东芝

来源:盖世汽车

作者:刘丽婷

本文地址:https://www.d1ev.com/news/jishu/212471

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